上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利

2024-09-18

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据天眼查显示，上海微电子装备（集团）股份有限公司于2023年3月9日提交了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利申请（申请号：CN202310226636.7），并于9月10日正式披露。

该发明的核心团队由王伟伟、付辉、卢嘉玺、张洪博、蔡万宠及张子辰等人员组成。

该发明专利针对当前极紫外（EUV）光刻技术中的关键挑战，即极紫外光产生过程中伴随的带电粒子（如锡碎屑）污染问题，提出了一种创新性的解决方案。这项技术旨在提供一种极紫外辐射发生装置及光刻设备，用于高效且简便地收集带电粒子以提高光刻设备中关键部件——收集器镜的使用寿命。

该发明通过巧妙设计，利用电场约束带电粒子的运动轨迹，促进带电粒子被高效收集至电极板上，再利用氢自由基与带电粒子反应形成无害气体并排出系统，进一步净化了腔体环境；同时通入惰性气体在腔体内可形成稳定流场，以阻止带电粒子扩散至收集器镜，从而延长收集器镜的寿命。

极紫外光刻技术作为当前及未来半导体制造工艺的核心技术之一，其重要性不言而喻。上海微电子在光刻技术领域取得的这一发明专利——“极紫外辐射发生装置及光刻设备”，不仅解决了极紫外光刻设备中的一大技术难题，对于推动我国乃至全球半导体制造技术的进步具有重要意义。

不过值得注意的是，光刻系统的整机性能是若干子系统（如EUV光源系统、高精度弧形反射镜光学系统、超高精度真空双工件台等核心子系统）、广泛零部件和核心工艺协同配合、共同作用的综合结果。

上海微电子这个专利对我国光刻技术的发展具有重要意义，但这并不意味着我国就此突破了7纳米光刻技术。据悉，该专利是光源的一个结构设计方案，光源是光刻机的一个子系统，其他子系统一样需要无数专利来完善，最终才有整机。目前，我国光源主要部件的攻关单位是中科院下属的几个研究所及孵化的企业，如中科院光电技术研究所、中科院半导体研究所等机构。

同时还申请了多项专利。